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本實用新型涉及半導體領域,具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術:igbt隨著結構設計和工藝技術的升級,主流產品已經從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示),現有技術中溝槽柵結構的制作方法如圖3所示,先在半導體襯底上光刻出溝槽,接著在該溝槽內沉積**氧化層23(圖3a所示),然后去除該**氧化層23(圖3b所示),然后繼續在溝槽內沉積***氧化層21(圖3c所示),接著沉積多晶硅層1(圖3d所示),接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示),溝槽柵結構雖然相比平面柵結構電流密度大幅度提升,但由于溝槽柵結構帶來的結電容的大幅度上升,造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景。技術實現要素:本實用新型為解決現有技術中溝槽柵igbt結電容較大的問題,提供了一種新的溝槽柵igbt結構。本實用新型采用的技術方案如下:一種溝槽柵igbt,包括:半導體襯底,所述半導體襯底表面內設置兩個溝槽柵結構;兩個溝槽柵結構,兩個所述溝槽柵結構對稱,溝槽內設置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層,所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層,所述***氧化層設置在溝道區,所述第二氧化層設置在非溝道區,所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。
由于西門康IGBT模塊供應為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:1、在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸西門康IGBT模塊供應端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;2、在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使西門康IGBT模塊供應發熱及至損壞。在使用西門康IGBT模塊供應的場合,當柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態)。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率,覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍。
以解決上述背景技術中提出的問題。為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:風電變流器的igbt驅動電路,包括原邊電路、隔離電路和副邊電路,所述原邊電路包括死區電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路,所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路,所述副邊電路包括±15v驅動電源、驅動電路和vce-sat檢測電路,vce-sat檢測電路分別連接igbt模塊、驅動電路和光耦隔離電路,光耦隔離電路還連接死區電路、互鎖電路和保護電路,驅動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊,vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發生短路故障或過流故障時,通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路,原邊電路同時***igbt模塊上下管驅動信號,并通過光耦隔離電路和驅動電路關斷igbt模塊。作為本實用新型的進一步方案:所述igbt模塊分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案:所述死區電路、互鎖電路、保護電路均分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案:所述光耦隔離電路分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案:所述驅動電路分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案:所述光耦隔離電路包括反饋光耦和驅動光耦。采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產品組合。標準模塊加工廠
我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列,它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級。福建智能模塊量大從優
GSM系統規范對手機發射功率的精度、平坦度、發射頻譜純度以及帶外雜散信...發表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation(脈沖幅度調制)縮寫,是按一定規律改變...發表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅動IC中,可以說美國德克薩斯儀器公司開發的TL494功能**完善、驅動能力**強,其...發表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設備、工業儀表和汽...手持式設備、工業儀表和汽車電子系統都需要能支持多種輸入電壓的電源解決方案,這些輸入電壓是由汽車輸入電...發表于2017-12-0211:14?189次閱讀家用供電分析及電壓起源解讀這也就造成了各個電廠所提供的民用電壓依賴于所進口國家電壓的情況。據《民國時期機電技術》中記載,關于用...發表于2017-12-0111:30?778次閱讀壓敏電阻的原理及電流、電壓計算分析壓敏電阻一般并聯在電路中使用,當電阻兩端的電壓發生急劇變化時,電阻短路將電流保險絲熔斷,起到保護作用...發表于2017-11-2911:23?405次閱讀閾值電壓的計算閾值電壓。福建智能模塊量大從優
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司坐落于昆山開發區朝陽東路109號億豐機電城北樓A201,是集設計、開發、生產、銷售、售后服務于一體,電子元器件的貿易型企業。公司在行業內發展多年,持續為用戶提供整套IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器的解決方案。本公司主要從事IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器領域內的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等產品的研究開發。擁有一支研發能力強、成果豐碩的技術隊伍。公司先后與行業上游與下游企業建立了長期合作的關系。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業標準的產品質量為目標,并始終如一地堅守這一原則,正是這種高標準的自我要求,產品獲得市場及消費者的高度認可。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器產品售前服務,為客戶提供周到的售后服務。價格低廉優惠,服務周到,歡迎您的來電!