HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設計，該產品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應用（xEV）進行了優化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有短路耐用表現，阻斷電壓得以增加，可在苛刻的環境條件下實現可靠的逆變器表現。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動力車和電動車中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產品版本是通過產品組合中的套件創新和芯片開發實現的。二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料。重慶模塊加工廠

我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優勢。安徽模塊裝潢完整的模塊封裝技術組合，一站式 購齊。

    三、根據開關頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態損態和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優勢。“KT3”由于開關速度更快，對吸收與布線要求更高。若開關頻率在10KHz－15KHz之間，請使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對于fk≤15KHz的應用場合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。當開關頻率fk≥15KHz時，開關損耗是主要的，通態損耗占的比例比較小。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當然對于fk在15KHz－20KHz之間時，“DN2”系列也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關工作頻率可達40KHz；若是軟開關，可工作在150KHz左右。IGBT在高頻下工作時。

    IGBT的Uge幅值也影響著飽和導通壓降：Uge增加，飽和導通壓降將減小。由于飽和導通壓降是IGBT發熱的主要原因之一，因此必須盡量減小。通常Uge為15至18V，若過高，容易造成柵極擊穿。一般取15V，IGBT關斷時給其柵極發射極加一負偏壓有利于提高IGBT的抗干擾的能力，通常取5到10V。、下降速率對IGBT的開通和關斷過程有著較大的影響。在高頻應用場合，驅動電壓的上升、下降速率應盡量快一些，以提高IGBT的開關速度，降低損耗。減小柵極串聯電阻，可以提高IGBT的開關速度，降低開關損耗，用戶可根據實際應用的頻率范圍，選擇合適的柵極驅動電阻，也可以選擇開通和關斷不同的柵極串聯電阻值。在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損壞。因此應該降低柵極驅動電壓的上升速率,既增加柵極串聯電阻的阻值，抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術，開通過程的電流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT開通過程影響較大，而對關斷過程影響小一些，串聯電阻小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。

    功率開關器件在工作前半周與后半周導***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內的磁心會在某半周積累剩磁，出現“單向偏磁”現象，經過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發。橋式電路的另一缺點是容易產生直通現象。直通現象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區間出現重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅動的角度出發、設計的驅動電路必須滿足四路驅動的波形完全對稱，嚴格限制比較大工作脈寬，保證死區時間足夠，，其驅動與MOSFET驅動相似，是電壓控制器件，驅動功率小。但IGBT的柵極與發射極之間、柵極與集電極之間存在著結間電容，在它的射極回路中存在著漏電感，由于這些分布參數的影響，使得IGBT的驅動波形與理想驅動波形產生較大的變化，并產生了不利于IGBT開通和關斷的因素。IGBT開關等效電路如圖2a所示。E是驅動信號源，R是驅動電路內陰，Rg為柵極串聯電阻Cge、Cgc分別為柵極與發射極、集電極之間的寄生電容。二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且幾乎恒定。硅管的管壓降約為0.7V。重慶模塊加工廠

并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構成了晶體二極管，如下圖所示。重慶模塊加工廠

    原標題：干貨|大功率IGBT模塊及驅動技術電力電子技術在當今急需節能降耗的工業領域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關電源等電力電子技術的能量變換與管理應用中，越來越成為各種主回路的優先功率開關器件，因此如何安全可靠地驅動igbt工作，也成為越來越多的設計工程師面臨需要解決的課題。在使用igbt構成的各種主回路之中，大功率igbt驅動保護電路起到弱電控制強電的終端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以將該電路看成是一個相對**的“子系統”來研究、開發及設計。大功率igbt驅動保護電路一直伴隨igbt技術的發展而發展，現在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅動保護電路**產品，成為大多數設計工程師的優先;也有許多的工程師根據其電路的特殊要求，自行研制出各種**的大功率igbt驅動保護電路。本文對這些大功率igbt驅動保護電路進行分類，并對該電路需要達到的一些功能進行闡述，***展望此電路的發展。此外本文所述大功率igbt驅動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場合。來源：電力電子技術與新能源，智享汽車圈返回搜狐。重慶模塊加工廠

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