隨集電極-發射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅動電路，也可比較大限度地降低發生寄生導通事件的風險。開關時間數據表中給出的開關時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關斷之間的恰當空載時間，提供了有用信息。關于設置恰當的空載時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數據表中給出的開關時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關斷延時（tdoff）：90%柵極-發射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%集電極電流開關時間不能提供關于開關損耗的可靠信息，因為電壓升高時間和下降時間以及電流拖尾均未確定。因此，每個脈沖造成的功率損耗需單獨確定。圖14開關波形示意圖以及開關時間和功率損耗定義在數據表中，將每個脈沖造成的開關損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流，至2%集電極-發射極電壓?每個脈沖造成的關斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發射極電壓，至2%集電極電流這樣，開關時間和每個脈沖造成的功率損耗。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。云南電源模塊

    IGBT模塊驅動及保護技術1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出MOSFET和功率晶體管各自的優點，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內，故在較高頻率應用范圍中，其中中、大功率應用占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數A級的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發生閉鎖現象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此掌握好IGBT的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發射極實現電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過**大額定柵極電壓。云南電源模塊通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。

IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應用，如電源和標準驅動。

    HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設計，該產品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應用（xEV）進行了優化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有短路耐用表現，阻斷電壓得以增加，可在苛刻的環境條件下實現可靠的逆變器表現。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動力車和電動車中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產品版本是通過產品組合中的套件創新和芯片開發實現的。在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構成了晶體二極管。

1.2正向特性1）外加正向電壓較小時，二極管呈現的電阻較大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為不導通區或死區。一般硅管的死區電壓約為0.5伏，鍺的死區電壓約為0.2伏，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。2）當外加正向電壓超過死區電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現的電阻很小，正向電流開始增加，進入正向導通區，但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關系近似線性，處于充分導通狀態。3）二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且幾乎恒定。硅管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。北京貿易模塊進貨價

實際應用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。云南電源模塊

    但過小會導致di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求***綜合考慮。柵極驅動電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯的電阻的阻值應隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅動電路，光耦驅動電路是現代逆變器和變頻器設計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅動光耦的型號很多，所以選用的余地也很大。驅動光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等；⑵**集成塊驅動電路，主要有IR的IR2111，IR2112，IR2113等，三菱的EXB系列，M57959，M57962等。IGBT的驅動電路必須具備兩個功能：一是實現控制電路與被驅動IGBT的柵極隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖，實現電隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器和光電耦合器。：一類是低倍數(～倍)的過載保護；一類是高倍數(8～10)的短路保護。對于過載保護不必快速反應，可采用集中式保護。云南電源模塊

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司目前已成為一家集產品研發、生產、銷售相結合的貿易型企業。公司成立于2022-03-29，自成立以來一直秉承自我研發與技術引進相結合的科技發展戰略。公司主要產品有IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等，公司工程技術人員、行政管理人員、產品制造及售后服務人員均有多年行業經驗。并與上下游企業保持密切的合作關系。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業標準的產品質量為目標，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標準的自我要求，產品獲得市場及消費者的高度認可。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司本著先做人，后做事，誠信為本的態度，立志于為客戶提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器行業解決方案，節省客戶成本。歡迎新老客戶來電咨詢。