柵極驅動電路的阻抗越低，這種效應越弱，此效應一直維持到t3時刻，Uce降到IGBT的飽和電壓為止。它的影響同樣減緩了IGBT的開通過程。在t3時刻后，Ic達到穩態值，影響柵極電壓Uge的因素消失后，Uge以較快的上升率達到**大值。從圖1的波形可以看出，由于Le和Cge的存在，在IGBT的實際運行中Uge減緩了許多，這種阻礙驅動電壓上升的效應，表現為對集電極電流上升及開通過程的阻礙。為了減緩此效應，應使IGBT模塊的Le和Cgc和柵極驅動電路的內阻盡量的小，以獲得較快的開通速度。圖2IGBT的關斷波形如圖2所示，t0時刻驅動電壓開始下降，在t1時刻達到剛好能夠維持集電極正常工作的電流水平，IGBT進入線性工作區。Uce開始上升，此時,柵極集電極間電容Cgc的密勒效應支配著Uge的下降，因Cgc耦合充電作用，Uge在t1到t2期間基本保持不變，在t2時刻Uge和Ic開始以柵極發射極固有阻抗所決定的速度下降，在t3時Uge和Ic均降為零，關斷結束。從圖2可以看出，由于電容Cgc的存在，使的IGBT的關斷過程也延長了許多。為了減小此影響，一方面應該選擇Cgc較小的IGBT器件，另一方面應該減小驅動電路的內阻抗，使流入Cgc的充電電流增加，可以加快Uge的下降速度。在實際應用中。通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。北京模塊量大從優

西門康IGBT正是作為順應這種要求而開發的，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內。基于這些優異的特性，西門康IGBT一直***使用在超過300V電壓的應用中，模塊化的西門康IGBT可以滿足更高的電流傳導要求，其應用領域不斷提高，今后將有更大的發展。江蘇什么模塊高性價比 ?全程采用X射線100%監測生產，保 障產品的高性能和使用壽命 ? 使用銅基板，便于快捷安裝。

    IGBT的Uge幅值也影響著飽和導通壓降：Uge增加，飽和導通壓降將減小。由于飽和導通壓降是IGBT發熱的主要原因之一，因此必須盡量減小。通常Uge為15至18V，若過高，容易造成柵極擊穿。一般取15V，IGBT關斷時給其柵極發射極加一負偏壓有利于提高IGBT的抗干擾的能力，通常取5到10V。、下降速率對IGBT的開通和關斷過程有著較大的影響。在高頻應用場合，驅動電壓的上升、下降速率應盡量快一些，以提高IGBT的開關速度，降低損耗。減小柵極串聯電阻，可以提高IGBT的開關速度，降低開關損耗，用戶可根據實際應用的頻率范圍，選擇合適的柵極驅動電阻，也可以選擇開通和關斷不同的柵極串聯電阻值。在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損壞。因此應該降低柵極驅動電壓的上升速率,既增加柵極串聯電阻的阻值，抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術，開通過程的電流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT開通過程影響較大，而對關斷過程影響小一些，串聯電阻小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗。

    IGBT與MOSFET的開關速度比較因功率MOSFET具有開關速度快，峰值電流大，容易驅動，安全工作區寬，dV/dt耐量高等優點，在小功率電子設備中得到了廣泛應用。但是由于導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極管導致通態電阻增加，因此在大功率電子設備中的應用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅動，安全工作區寬，峰值電流大，堅固耐用等，一般來講，IGBT的開關速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的開關特性非常接近功率MOSFET，而且導通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT內部不存在反向二極管，用戶可以靈活選用外接恢復二極管，這個特性是優點還是缺點，應根據工作頻率，二極管的價格和電流容量等參數來衡量。IGBT的內部結構，電路符號及等效電路如圖1所示。可以看出，2020-08-30開關電源設計：何時選擇BJT優于MOSFET開關電源電氣可靠性設計1供電方式的選擇集中式供電系統各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質量，而且應用單臺電源供電，當電源發生故障時可能導致系統癱瘓。分布式供電系統因供電單元靠近負載，改善了動態響應特性。太陽能發電廠和儲能系統等；同時適用于工業和汽車級應用。

英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業應用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應用范圍包括服務器堆場、太陽能發電廠和儲能系統等；同時適用于工業和汽車級應用。優勢：?高性價比?全程采用X射線100%監測生產，保障產品的高性能和使用壽命?使用銅基板，便于快捷安裝?完整的模塊封裝技術組合，一站式購齊所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器。陜西模塊銷售價格

大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍。北京模塊量大從優

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產生壓降，還會造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關斷前C*將上次關斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小。對緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應采用低感或無感吸收電容，它的引線應盡量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應采用快開通和快軟恢復二極管，以免產生開通過電壓，和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。，得出了設計時應注意的幾點事項：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；⑵柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大的影響，所以設計時要綜合考慮；⑶應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達到短路保護的目的。北京模塊量大從優

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