以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時（柵極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。4保管時的注意事項一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃，常濕的規定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。完整的模塊封裝技術組合，一站式 購齊。西藏電源模塊

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結構和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域微型模塊售價EconoBRIDGE 整流器模塊應用在完善的Econo2 和 Econo4 封裝中。

    ⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅動源應能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的Ic增大，IGBT能承受短路電流的時間減小，對其安全不利，因此在有短路過程的設備中Uge應選得小些，一般選12～15V；在關斷過程中，為盡快抽取PNP管的存儲電荷，須施加一負偏壓Uge,但它受IGBT的G、E間**大反向耐壓限制，一般取1～10V；⑻在大電感負載下，IGBT的開關時間不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰電壓，確保IGBT的安全；⑼由于IGBT在電力電子設備中多用于高壓場合，故驅動電路與控制電路在電位上應嚴格隔離；⑽IGBT的柵極驅動電路應盡可能簡單實用，**好自身帶有對IGBT的保護功能。

    需指出的是：IGBT參數表中標出的IC是集電極比較大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先比較大結溫不能超過150℃，其次還受安全工作區（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態電流值，即使可重復也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs以內，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達10倍的額定電流值。這種短路也不允許經常發生，器件壽命周期內總次數不能大于1000次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT，這種短路總次數不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過載能力、可靠性比PT型高的原因。在電力電子設備中，選擇IGBT模塊時，通常是先計算通過IGBT模塊的電流值，然后根據電力電子設備的特點，考慮到過載、電網波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇，應根據不同的應用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具比較高結溫不超過規定值來選擇器件。通過比較高結溫核標可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。二極管承受反向電壓時，加強了PN結的內電場，二極管呈現很大電阻，此時*有很小的反向電流。

    全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅動電路設計作者：海飛樂技術時間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應用***，國內外許多廠家的焊機都采用此主電路結構。全橋式電路的優點是輸出功率較大，要求功率開關管耐壓較低，便于選管。在硬開關僑式電路中，IGBT在高壓下導通，在大電流下關斷，處于強迫開關過程，功率器件IGBT能否正常可靠使用起著至關重要的作用。驅動電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，滿足驅動IGBT的要求。其性能直接關系到IGBT的開關速度和功耗、整機效率和可靠性。隨著開關工作頻率的提高，驅動電路的優化設計更為重要。2.硬開關全橋式電路工作過程分析全橋式逆變主電路由功率開關管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成，如圖1所示快速恢復二極管VD1~VD4與lGBT1～IGBT4反向并聯、承受負載產生的反向電流以保護IGBT。IGBT1和IGBT4為一組，IGBT2和IGBT3為一組，每組IGBT同時導通與關斷，當激勵脈沖信號輪流驅動IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3時，逆變主電路把直流高壓轉換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器，經降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下。當外加正向電壓超過死區電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現的電阻很小。上海進口模塊廠家直銷

市場**的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。西藏電源模塊

    IGBT模塊驅動及保護技術1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出MOSFET和功率晶體管各自的優點，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內，故在較高頻率應用范圍中，其中中、大功率應用占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數A級的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發生閉鎖現象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓，需要采用軟關斷技術，因此掌握好IGBT的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發射極實現電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過**大額定柵極電壓。西藏電源模塊

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司坐落在昆山開發區朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，是一家專業的一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；電子元器件批發；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設備銷售；電力電子元器件銷售；電子設備銷售；電子測量儀器銷售；機械電氣設備銷售；風動和電動工具銷售；電氣設備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產品銷售；半導體照明器件銷售；半導體器件設備銷售；半導體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產品批發；五金產品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設備銷售；辦公設備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機械設備銷售；超導材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環境保護設備銷售；生態環境材料銷售；集成電路設計；集成電路芯片設計及服務（除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動）公司。公司目前擁有專業的技術員工，為員工提供廣闊的發展平臺與成長空間，為客戶提供高質的產品服務，深受員工與客戶好評。公司業務范圍主要包括：IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等。公司奉行顧客至上、質量為本的經營宗旨，深受客戶好評。一直以來公司堅持以客戶為中心、IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器市場為導向，重信譽，保質量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。