根據數據表中標示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導通現象。可能的寄生導通現象，是由集電極-柵極和柵極-發射極之間的固有容性分壓器引起的（請參見圖9）。考慮到集電極-發射極上的較高瞬態電壓，這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅動電路快得多。因此，即使柵極驅動器關斷了IGBT，即，在零柵極-發射極電壓狀態下，瞬態集電極-發射極電壓也會引起與驅動電壓不相等的柵極-發射極電壓。忽略柵極驅動電路的影響，可以利用以下等式，計算出柵極-發射極電壓：因此，商數Cres/Cies應當盡可能低，以避免dV/dt引起寄生導通現象（商數約為35，請參見圖12）。此外，輸入電容應當盡可能低，以避免柵極驅動損耗。圖12IGBT的寄生電容（摘自數據表）數據表中給出的寄生電容是在恒定的25V集電極-發射極電壓條件下的值（請參見圖12）。柵極-發射極電容約為該恒定集電極-發射極電壓條件下的值（等式（9））。反向傳遞電容嚴重依賴于集電極-發射極電壓，可以利用等式（10）估算得到（請參見圖13）：圖13利用等式（9）和（10）計算得到的不同集電極-發射極電壓條件下的輸入和反向傳遞電容近似值所以，防止dV/dt引起的寄生導通現象的穩定性。EconoBRIDGE 整流器模塊應用在完善的Econo2 和 Econo4 封裝中。江西模塊性價比

    IGBT的Uge幅值也影響著飽和導通壓降：Uge增加，飽和導通壓降將減小。由于飽和導通壓降是IGBT發熱的主要原因之一，因此必須盡量減小。通常Uge為15至18V，若過高，容易造成柵極擊穿。一般取15V，IGBT關斷時給其柵極發射極加一負偏壓有利于提高IGBT的抗干擾的能力，通常取5到10V。、下降速率對IGBT的開通和關斷過程有著較大的影響。在高頻應用場合，驅動電壓的上升、下降速率應盡量快一些，以提高IGBT的開關速度，降低損耗。減小柵極串聯電阻，可以提高IGBT的開關速度，降低開關損耗，用戶可根據實際應用的頻率范圍，選擇合適的柵極驅動電阻，也可以選擇開通和關斷不同的柵極串聯電阻值。在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導致IGBT損壞。因此應該降低柵極驅動電壓的上升速率,既增加柵極串聯電阻的阻值，抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術，開通過程的電流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT開通過程影響較大，而對關斷過程影響小一些，串聯電阻小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗。江西模塊性價比當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。

    即檢測輸入端或直流端的總電流，當此電流超過設定值后比較器翻轉，***所有IGBT輸入驅動脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護，一旦動作后,要通過復位才能恢復正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導通壓降有關，隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達15μS，4～5V時可達到30μS以上。存在以上的關系是由于隨著飽和導通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟關斷和降柵壓兩種。軟關斷是指在過流和短路時，直接關斷IGBT。但是，軟關斷抗干擾能力差，一旦檢測到過流信號就關斷，很容易發生誤動作。為增加保護電路的抗干擾能力，可在故障信號和保護動作之間加一延時，不過故障電流會在這個延時時間內急劇上升，**增加了故障損耗，同時還會導致器件的di/dt過大。所以往往是保護電路啟動了，器件依然損壞了。降柵壓旨在檢測到器件過流時，馬上降低柵壓，但器件仍維持導通。降柵壓后，設有固定延時，故障電流在這一段時間內被限制在一個較小的值。

1.2正向特性1）外加正向電壓較小時，二極管呈現的電阻較大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為不導通區或死區。一般硅管的死區電壓約為0.5伏，鍺的死區電壓約為0.2伏，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。2）當外加正向電壓超過死區電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現的電阻很小，正向電流開始增加，進入正向導通區，但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關系近似線性，處于充分導通狀態。3）二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且幾乎恒定。硅管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。開關性能經過優化，可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。山東國產模塊批發

用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線。江西模塊性價比

我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優勢。江西模塊性價比

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