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來源: 發布時間:2023-06-02

我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列,它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級,適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置,電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,高至數兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發電(如光伏逆變器或風電應用)等應用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優勢。外加正向電壓較小時,二極管呈現的電阻較大。本地模塊誠信合作

雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是:用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。雙向可控硅應用現在可控硅應用市場很多,可控硅應用在自動控制領域,機電領域,工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單,可見可控硅在人們的生活中都有應用。更重要的是,可控硅應用相當穩定,比方說用于家電產品中的電子開關,可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化,可控硅的變化是不大的,這相對來說,等于擴大的可控硅的應用市場,減少了投資的風險。青海模塊供應商當加上輸入信號VI(一般為高電平)、并且交流負載電源電壓通過零點時,雙向晶閘管被觸發,將負載電源接通。

    HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創新型解決方案,適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設計,該產品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下,IGBT的驅動效果將更加接近其極限,從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性,為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅動是一款非常緊湊的電源模塊,專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應用(xEV)進行了優化,功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片,后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有短路耐用表現,阻斷電壓得以增加,可在苛刻的環境條件下實現可靠的逆變器表現。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動力車和電動車中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產品版本是通過產品組合中的套件創新和芯片開發實現的。

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現不控整流,也可在整流級中使用晶閘管實現半控整流。關鍵特性?高集成度:整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝,可節約系統成本?靈活性:可定制的封裝(引腳位置和拓撲結構可根據客戶需求定制)?一體通用:多種拓撲和電流(100A-360A)等級適用于多種應用,實現平臺化戰略?功率密度:與TrenchstopIGBT3相比,TrenchstopIGBT4技術的Tvjop達到150°C,具有更高的功率密度,適用于緊湊型逆變器設計?性能:與標準模塊相比,預涂熱界面材料(TIM)*可以提高輸出功率并延長使用壽命?標準化:建立符合RoHS的封裝理念,實現高可用性?簡便性:PressFIT用于主端子以及輔助端子,以減少裝配的工作量應用領域?電機控制和驅動?采暖通風與空調(HVAC)?不間斷電源(UPS)100kVA?太陽能系統解決方案?工業加熱和焊接太陽能發電廠和儲能系統等;同時適用于工業和汽車級應用。

    根據數據表中標示的IGBT的寄生電容,可以分析dV/dt引起的寄生導通現象。可能的寄生導通現象,是由集電極-柵極和柵極-發射極之間的固有容性分壓器引起的(請參見圖9)。考慮到集電極-發射極上的較高瞬態電壓,這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅動電路快得多。因此,即使柵極驅動器關斷了IGBT,即,在零柵極-發射極電壓狀態下,瞬態集電極-發射極電壓也會引起與驅動電壓不相等的柵極-發射極電壓。忽略柵極驅動電路的影響,可以利用以下等式,計算出柵極-發射極電壓:因此,商數Cres/Cies應當盡可能低,以避免dV/dt引起寄生導通現象(商數約為35,請參見圖12)。此外,輸入電容應當盡可能低,以避免柵極驅動損耗。圖12IGBT的寄生電容(摘自數據表)數據表中給出的寄生電容是在恒定的25V集電極-發射極電壓條件下的值(請參見圖12)。柵極-發射極電容約為該恒定集電極-發射極電壓條件下的值(等式(9))。反向傳遞電容嚴重依賴于集電極-發射極電壓,可以利用等式(10)估算得到(請參見圖13):圖13利用等式(9)和(10)計算得到的不同集電極-發射極電壓條件下的輸入和反向傳遞電容近似值所以,防止dV/dt引起的寄生導通現象的穩定性。開關性能經過優化,可以按串聯器件的數量輕松調整軟起動器,以適應不同的工作電壓。山東國產模塊量大從優

當反向電壓增大到一定數值時,反向電流急劇加大,進入反向擊穿區,D點對應的電壓稱為反向擊穿電壓。本地模塊誠信合作

    IGBT模塊驅動及保護技術1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點,又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出MOSFET和功率晶體管各自的優點,正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內,故在較高頻率應用范圍中,其中中、大功率應用占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件,在它的柵極發射極之間施加十幾V的直流電壓,只有μA級的電流流過,基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發射極之間存在較大的寄生電容(幾千至上萬pF),在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數A級的充放電電流,才能滿足開通和關斷的動態要求,這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件,存在著過流時可能發生閉鎖現象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓,過高的電流變化會引起過電壓,需要采用軟關斷技術,因此掌握好IGBT的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2.IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發射極實現電隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般只能達到20到30V,因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過**大額定柵極電壓。本地模塊誠信合作

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