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在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應該降等使用。3使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號。總功耗= 通態(tài)損耗 (與飽和電壓 VCEsat有關)+開關損耗 (Eoff Eon)。西藏模塊價格比較
西門康IGBT正是作為順應這種要求而開發(fā)的,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi)。基于這些優(yōu)異的特性,西門康IGBT一直***使用在超過300V電壓的應用中,模塊化的西門康IGBT可以滿足更高的電流傳導要求,其應用領域不斷提高,今后將有更大的發(fā)展。北京貿(mào)易模塊成本價我們家中插座里的市電交流電電壓是220V,而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓比較高可達6500V。
5ms)l瞬時耐壓10kVl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%6)短路保護放電回路緊急情況下快速放電,保證緊急情況時快速使設備處于安全電位。l回路耐壓DC10kVl放電電流10kA(5ms)l工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%7)正常放電回路用于設備正常關機時放電,使設備處于安全電位。l回路耐壓10kVl放電電流50Al工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%8)高壓大功率開關l電流能力200Al隔離耐壓10kVl響應時間150msl脈沖電流20kA(不小于10ms)l工作方式氣動控制l工作氣壓l工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%9)尖峰抑制電容用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。l電容容量200μFl分布電感小于10nHl脈沖電流200Al工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%11)動態(tài)測試續(xù)流二極管用于防止測試過程中的過電壓。l壓降小于1Vl浪涌電流大于20kAl反向恢復時間小于2μsl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%12)安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管l浪涌電流大于20kAl反向恢復時間小于2μSl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%13)被測器件旁路開關被測安全接地開關,設備不運行時,被測接地。
即檢測輸入端或直流端的總電流,當此電流超過設定值后比較器翻轉(zhuǎn),***所有IGBT輸入驅(qū)動脈沖,使輸出電流降為零。這種過載過流保護,一旦動作后,要通過復位才能恢復正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流,能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導通壓降有關,隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS,而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達15μS,4~5V時可達到30μS以上。存在以上的關系是由于隨著飽和導通壓降的降低,IGBT的阻抗也降低,短路電流同時增大,短路時的功耗隨著電流的平方增大,造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟關斷和降柵壓兩種。軟關斷是指在過流和短路時,直接關斷IGBT。但是,軟關斷抗干擾能力差,一旦檢測到過流信號就關斷,很容易發(fā)生誤動作。為增加保護電路的抗干擾能力,可在故障信號和保護動作之間加一延時,不過故障電流會在這個延時時間內(nèi)急劇上升,**增加了故障損耗,同時還會導致器件的di/dt過大。所以往往是保護電路啟動了,器件依然損壞了。降柵壓旨在檢測到器件過流時,馬上降低柵壓,但器件仍維持導通。降柵壓后,設有固定延時,故障電流在這一段時間內(nèi)被限制在一個較小的值。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大。
不要做讓模塊電極的端子承受過大應力。2)IGBT模塊的散熱器應根據(jù)使用條件和環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進行匹配選擇,以保證GBT模塊工作時對散熱器的要求。為了減少接觸熱阻,推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導熱硅脂。3)IGBT模塊安裝到散熱片上時,要先在模塊的反面涂上散熱絕緣混合劑(導熱膏),再用推薦的夾緊力距充分旋緊。另外,散熱片上安裝螺絲的位置之間的平坦度應控制在100μm以下,表面粗糙度應控制在10μm以下。散熱器表面如有凹陷,會導致接觸熱阻(Rth(c—f)的增加。另外,散熱器表面的平面度在上述范圍以外時,IGBT模塊安裝時(夾緊時)會給IGBT模塊內(nèi)部的芯片與位于金屬基板間的絕緣基板增加應力,有可能產(chǎn)生絕緣破壞。4)IGBT模塊底板為銅板的模塊,在散熱器與IGBT模塊均勻受力后,從IGBT模塊邊緣可看出有少許導熱硅脂擠出為**佳。IGBT模塊底板為DBC基板的模塊,散熱器表面必須平整、光潔,采用絲網(wǎng)印刷或圓滾滾動的方法涂敷一薄層導熱硅脂后,使兩者均勻壓接。IGBT模塊直接固定在散熱器上時,每個螺釘需按說明書中給出的力矩旋緊,螺釘一定要受力均勻,力矩不足導致熱阻增加或運動中出現(xiàn)螺釘松動。兩點安裝緊固螺絲時。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。替換模塊批發(fā)價格
于是,就形成了各種各樣的IGBT單管和模塊。西藏模塊價格比較
英飛凌IGBT綜述:我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級,適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置,電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電(如光伏逆變器或風電應用)等應用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料(TIM),能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外,IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝,從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅:綜述:6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件,專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經(jīng)過優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器,以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應用,如電源和標準驅(qū)動。西藏模塊價格比較
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