IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區別是什么？作者：海飛樂技術時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術集成驅動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經從復合功率模塊PIM發展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結構不同IGBT單管為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用。減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。山東模塊零售價

    但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。國外企業如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占***優勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領域處于優勢地位。盡管我國擁有**大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等**器件差距更加明顯。**技術均掌握在發達國家企業手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內廠商相比，英飛凌、三菱和富士電機等國際廠商占有***的市場優勢。形成這種局面的原因主要是：1、國際廠商起步早，研發投入大，形成了較高的**壁壘。2、國外**制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀。總的來說。安徽質量模塊IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。

    賽米控IGBT驅動系列賽米控提供兩種不同的IGBT驅動系列，可涵蓋任何應用。可使用適配板針對各類模塊優化SKHI和SKYPER系列的驅動**。SKYPERPrime等驅動提供技術完善的即插即用解決方案，可在實際應用中節省時間和成本。SKYPER系列的單通道輸出功率為1W至4W，涵蓋30kW至2MW全功率范圍的逆變器。賽米控的新型ASIC芯片組具有高集成度，可在整個生命周期內提供安全的IGBT門極控制。通過隔離故障通道，可快速解決短路問題。軟關斷和過電壓反饋可避免危險的過電壓問題。混合信號ASIC保證在整個溫度范圍內都有比較低的誤差。MLI或并聯IGBT拓撲結構通過可調故障處理技術進行管理。憑借優化的接口和可調濾波器設置，SKYPER系列在噪聲干擾嚴重的環境中也可安全運行。賽米控的適配板可利用各種IGBT模塊構建***的逆變器平臺。***的亮點有SKYPER12驅動核，以及采用電氣和光學接口的即插即用型驅動SKYPERPrime。SKYPER12PVR屬于***款的驅動核，能夠提供20A輸出峰值電流并允許在1500VDC下實現極其緊湊的設計。其功能和魯捧性使其非常適合用于太陽能應用。SKYPERPrime提供集成式絕緣直流母線和溫度測量能力，還能幫助客戶大幅降低系統成本。

2、熱限制熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。3、封裝要求封裝要求主要體現在外部封裝材料上面，在結構上面，其實也會和封裝相關，因為設計的時候會布局和結構的問題，不同的設計它的差異性很大。4、可靠性要求可靠性問題，剛才說到結溫波動，其中**擔心就是結溫波動以后，會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接，時間久了，這兩種材料本身之間的熱抗系數都有差異，所以在結溫波動情況下，長時間下來，如果工藝不好的話，就會出現裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護壓降，進一步導致ICBT失效。第二個就是熱循環，主要體現在硅片和DCB這個材料之間，他們之間的差異性。如果失效了以后，就分層了，材料與材料之間特性不一樣，就變成這樣情況的東西，這個失效很明顯。硅片加工工藝：外延生長技術、區熔硅單晶。

    也可以用模塊中的2個半橋電路并聯構成電流規格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構成三相橋電路，也可以將模塊中的3個半橋電路并聯構成電流規格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應用對IGBT的要求有所不同，故制造商習慣上會推出以實際應用為產品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模塊，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule，整流-剎車-逆變）模塊，日系廠商則習慣稱其為PIM模塊。圖67in1模塊內部的等效電路制造商一般都會分別給出模塊中個功能單元的參數，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術規格。表1MUBW15-12T7的主要技術規格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術規格。同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。智能模塊商家

與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益。山東模塊零售價

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優點3規格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優點編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。山東模塊零售價

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