IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發研制新品種。應用編輯 要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅系統。陜西私人模塊

    不*上橋臂的開關管要采用各自**的隔離電源，下橋臂的開關管也要采用各自**的隔離電源，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求。3）在連接IGBT電極端子時，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應用，以免電極端子發熱在模塊上產生過熱。控制信號線和驅動電源線要離遠些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應盡量短，**好不要超過3cm。5）驅動信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管，用接插件引線時，取下套管應立即插上引線；或采用焊接引線時先焊接再剪斷套管。7）對IGBT端子進行錫焊作業的時候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺的泄漏產生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊接時，溫度260℃±5℃，時間（10+1）s。波峰焊接時，PCB要預熱80~105℃，在245℃時浸入焊接3~4s。8）儀器測量時，應采用1000電阻與G極串聯。在模塊的端子部測量驅動電壓（VGE）時，應確認外加了既定的電壓。浙江智能模塊進貨價1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。

    200～1500V一次短路電流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge柵極電壓10～30V10～+30V±1%±10～30V本測試單元包括動態參數測試組成部分，主要組成材料及其要求如下所示。動態參數測試部分主要材料清單表格12動態參數測試部分組成序號組成部分單位數量1可調充電電源套12直流電容器個83動態測試負載電感套14安全工作區測試負載電感套15補充充電回路限流電感L個16短路保護放電回路套17正常放電回路套18高壓大功率開關個59尖峰抑制電容個110主回路正向導通晶閘管個211動態測試續流二極管個212安全工作區測試續流二極管個313被測器件旁路開關個114工控機及操作系統套115數據采集與處理單元套116機柜及其面板套117壓接夾具及其配套系統套118加熱裝置套119其他輔件套1動態參數測試單元技術要求環境條件1)海拔高度：海拔不超過1000m；2)溫度：儲存環境溫度-20℃～60℃；3)工作環境溫度：-5℃～40℃；4)濕度：20%RH至90%RH(無凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)；5)震動：抗地震能力按7級設防，地面抗震動能力≤；6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；1）可調充電電壓源用來給電容器充電，實現連續可調的直流母線電壓，滿足動態測試、短路電流的測試需求。

    其中CGE是柵極-發射極電容、CCE是集電極-發射極電容、CGC是柵極-集電極電容或稱米勒電容（MillerCapacitor）。門極輸入電容Cies由CGE和CGC來表示，它是計算IGBT驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V時要大一些(如圖2)。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V)而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT數據手冊中給出的電容Cies值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。贊賞共11人贊賞本站是提供個人知識管理的網絡存儲空間，所有內容均由用戶發布，不**本站觀點。如發現有害或侵權內容，請點擊這里或撥打24小時舉報電話：與我們聯系。轉藏到我的圖書館獻花（0）+1分享：微信QQ空間QQ好友新浪微博推薦給朋友來自：王利剛QWE>。封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。

    IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區別是什么？作者：海飛樂技術時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術集成驅動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經從復合功率模塊PIM發展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結構不同IGBT單管為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用。隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。中國臺灣可控硅模塊

集電極和發射極是導通端子，柵極是控制開關操作的控制端子。陜西私人模塊

電子元器件制造業是電子信息產業的基礎支撐產業。二十世紀九十年代起，通訊設備、消費類電子、計算機、互聯網應用產品、汽車電子、機頂盒等產業發展迅猛，同時伴隨著國際制造業向中國轉移，中國大陸電子元器件行業得到了快速發展。從細分領域來看，隨著4G、移動支付、信息安全、汽車電子、物聯網等領域的發展，集成電路產業進入快速發展期;另外，LED產業規模也在不斷擴大，半導體領域日益成熟，面板價格止跌、需求關系略有改善等都為行業發展帶來了廣闊的發展空間。伴隨我國電子信息產業規模的擴大，珠江三角洲、長江三角洲、環渤海灣地區、部分中西部地區四大電子信息產業基地初步形成。這些地區的電子信息企業集中，產業鏈較完整，具有相當的規模和配套能力。在互聯網融合建設中，無論是網絡設備還是終端設備都離不開各種元器件。網絡的改造升級、終端設備的多樣化設計都要依托關鍵元器件技術的革新。建設高速鐵路，需要現代化的路網指揮系統、現代化的高速機車，這些都和電子元器件尤其是大功率電力電子器件密不可分。隨著新能源的廣泛應用，對環保節能型電子元器件產品的需求也將越來越大。這都為相關的元器件企業提供了巨大的市場機遇。但是，目前我國的電子元器件產品，無論技術還是規模都不足以支撐起這些新興產業的發展。未來幾年我國面對下游旺盛的需求新型電子元器件行業應提升技術水平擴大產能應對市場需求。陜西私人模塊

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