IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區別是什么？作者：海飛樂技術時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術集成驅動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經從復合功率模塊PIM發展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結構不同IGBT單管為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用。1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。推廣模塊加工廠

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調（可多個電源組成）l輸出電流10A；l電壓控制精度1%l電壓調整率<；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃；l保護有過壓、過流、短路保護功能。2）直流電容器分為支撐電容、儲能電容，分別用于補償充電和實驗時的大電流放電，滿足動態測試、短路電流、反偏安全工作區的測試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動態測試負載電感l電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態電壓大于3300Vl負載電感配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關參數性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區測試負載電感l電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態電壓大于10kVl負載電感配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關參數性能需求與電感要求相匹配。5）補充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。私人模塊商城IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。

    所以脈沖寬度下應小于300μs，通常取1ms，相當廣50Hz正弦波的18°電角度。二、觸發脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯電路，要求并聯或者串聯的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發措施，使并聯或者串聯的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發電路的觸發脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發脈沖能在相應的范圍內進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調壓的觸發電路中，為了使每—周波重復在相同位置上觸發可控硅，觸發信號必須與電源同步，即觸發信號要與主回路電源保持固定的相位關系。否則，觸發電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至會造成短路事故，而同步是由相主回路接在同一個電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現的。以上就是可控硅模塊觸發電路時必須滿足的三個必定條件，希望對您有所幫助。

    尾流）的降低，完全取決于關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極管的設備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。阻斷與閂鎖當集電極被施加一個反向電壓時，J1就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。另一方面，如果過大地增加這個區域尺寸，就會連續地提高壓降。第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效（IC和速度相同）PT器件的壓降高的原因。當柵極和發射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結受反向電壓控制，此時，仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管（如圖1所示）。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加。IGBT模塊輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。

    螺釘應以推薦的夾緊力矩范圍予以夾緊。如果該力矩不足，可能使接觸熱阻變大，或在工作中產生松動。反之，如果力矩過大，可能引起外殼破壞。將IGBT模塊安裝在由擠壓模制作的散熱器上時，IGBT模塊的安裝與散熱器擠壓方向平行，這是為了減小散熱器變形的影響。圖2螺釘的夾緊方法把模塊焊接到PCB時，應注意焊接時間要短。注意波形焊接機的溶劑干燥劑的用量，不要使用過量的溶劑。模塊不能沖洗。用網版印刷技術在散熱器表面印刷50μm的散熱復合用螺釘把模塊和PCB安裝在散熱器上。在未上螺釘之前，輕微移動模塊可以更好地分布散熱膏。安裝螺釘時先用合適的力度固定兩個螺釘，然后用推薦的力度旋緊螺釘。在IGBT模塊的端子上，將柵極驅動電路和控制電路錫焊時，一旦焊錫溫度過高，可能發生外殼樹脂材料熔化等不良情況。一般性產品的端子耐熱性試驗條件：焊錫溫度：260±5℃。焊接時間：10±1s。次數：1次。IGBT模塊安裝中應注意的事項：1）要在無電源時進行安裝，裝卸時應采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。先讓人體和衣服上所帶的靜電通過高電阻（1Ωn左右）接地線放電后，再在接地的導電性墊板上進行操作。要拿封裝主體，不要直接觸碰端子（特別是控制端子）部。與普通晶閘管相比，它具有關斷時間短、正向壓降小、額定結溫高、高溫特性好等，主要用于逆變器和整流器中。貴州貿易模塊

反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。推廣模塊加工廠

    不*上橋臂的開關管要采用各自**的隔離電源，下橋臂的開關管也要采用各自**的隔離電源，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求。3）在連接IGBT電極端子時，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應用，以免電極端子發熱在模塊上產生過熱。控制信號線和驅動電源線要離遠些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應盡量短，**好不要超過3cm。5）驅動信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管，用接插件引線時，取下套管應立即插上引線；或采用焊接引線時先焊接再剪斷套管。7）對IGBT端子進行錫焊作業的時候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺的泄漏產生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊接時，溫度260℃±5℃，時間（10+1）s。波峰焊接時，PCB要預熱80~105℃，在245℃時浸入焊接3~4s。8）儀器測量時，應采用1000電阻與G極串聯。在模塊的端子部測量驅動電壓（VGE）時，應確認外加了既定的電壓。推廣模塊加工廠

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