包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實現所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法，**節約了igbt單管在安裝板上的安裝時間，并且減少了總裝的零件數量，提高了igbt模塊的生產效率，還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風險。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖**是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種igbt模塊的結構示意圖；圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的其中一種壓緊件的結構示意圖；圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本實用新型實施例進行詳細描述。應當明確。1965年，小功率光觸發晶閘管出現，為其后出現的光耦合器打下了基礎。寧夏智能模塊

    大中小igbt驅動電路，igbt驅動電路圖，igbt驅動電路的選擇2011-07-23王利剛QWE展開全文igbt驅動電路，igbt驅動電路圖，igbt驅動電路的選擇上網時間:2011-05-04igbt驅動電路，igbt驅動電路圖，igbt驅動電路的選擇igbt驅動電路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。下圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區。湖南推廣模塊非對稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。

    一個壓緊部壓緊一排igbt單管的方案，本實施例提供的所述壓緊件的靈活性更高，對每個igbt單管的壓緊作用也更加的可靠。可選的，在上述任一實施方式中，所述壓緊件可以為一體成型的結構件，這樣，可以提高所述壓緊件的生產效率和所述壓緊件的可靠性。如圖1所示，可選的，所述安裝板1為水冷板。本實施例，具有冷卻作用的所述安裝板還可以進一步的加快所述igbt模塊的散熱。可選的，所述水冷板可以為具有良好導熱效果的鋁材制成，至于所述水冷板的具體結構，本領域技術人員可參照現有水冷技術中的任意水冷結構，本實施例對此不做限定。需要說明的是，在本文中，諸如***和第二等之類的關系術語**用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不*包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素。

    B）車載空調控制系統小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；2）智能電網IGBT廣泛應用于智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發電端來看，風力發電、光伏發電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。4、從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術是現代軌道交通的**技術之一，在交流傳動系統中牽引變流器是關鍵部件，而IGBT又是牽引變流器****的器件之一。IGBT國內外市場規模2015年國際IGBT市場規模約為48億美元，預計到2020年市場規模可以達到80億美元，年復合增長率約10%。2014年國內IGBT銷售額是，約占全球市場的1∕3。預計2020年中國IGBT市場規模將超200億元，年復合增長率約為15%。從公司來看，國外研發IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。

    1匯流箱的組成大規模光伏電站中常見的標準產品有6、8、10、12、16回路等規格的光伏防雷匯流箱。它可根據客戶需要進行定制，回路數不限，靈活配置，一般由以下幾部分組成。2箱體箱體一般采用鋼板噴塑、不銹鋼、工程塑料等材質，外形美觀大方、結實耐用、安裝簡單方便，防護等級達到IP54以上，防水、防塵，滿足戶外長時間使用的要求。3直流斷路器直流斷路器是整個匯流箱的輸出控制器件，主要用于線路的分/合閘。其工作電壓高至DC1000V。由于太陽能組件所發電能為直流電，在電路開斷時容易產生拉弧，因此，在選型時要充分考慮其溫度、海拔降容系數，且一定要選擇光伏**直流斷路器。4光伏組件所用直流熔斷器是專為光電系統而設計的**熔斷器（外形尺10mm×38mm），采用**封閉式底座安裝，避免組串之間發生電流倒灌而燒毀組件。當發生電流倒灌時，直流熔斷器迅速將故障組串退出系統運行，同時不影響其他正常工作的組串，可安全地保護光伏組串及其導體免受逆向過載電流的威脅。5匯流箱中，二極管與組件接線盒中二極管的作用是不同的。組件接線盒中的二極管主要是當電池片被遮擋時提供續流通道。IGBT功率模塊實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。湖北本地模塊

IGBT模塊輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。寧夏智能模塊

    圖1單管，模塊的內部等效電路多個管芯并聯時，柵極已經加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個模塊內部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內部的實際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內部包含一個IGBT管芯，后面的“1”表示同一個模塊塑殼之中。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊，可直接構成半橋電路，也可以用2個半橋模塊構成全橋，3個半橋模塊也構成三相橋。因此，半橋模塊有時候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會標識為E1C2，有的模塊只在等效電路圖上標識引腳編號等。圖3半橋模塊的內部等效電路半橋模塊的電流/電壓規格指的均是其中的每一個模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊，表示其中的2個IGBT管芯的電流/電壓規格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受比較高2400V的瞬間直流電壓。不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標注的。3.全橋模塊，4in1模塊全橋模塊的內部等效電路如圖4所示。圖4全橋模塊內部等效電路全橋（Fullbridge）模塊也稱為4in1模塊，用于直接構成全橋電路。寧夏智能模塊

江蘇芯鉆時代，2022-03-29正式啟動，成立了IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等幾大市場布局，應對行業變化，順應市場趨勢發展，在創新中尋求突破，進而提升英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產業的進步。業務涵蓋了IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等諸多領域，尤其IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器中具有強勁優勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設計原創、科技創新、標準規范等方面推動行業發展。我們強化內部資源整合與業務協同，致力于IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等實現一體化，建立了成熟的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器運營及風險管理體系，累積了豐富的電子元器件行業管理經驗，擁有一大批專業人才。江蘇芯鉆時代始終保持在電子元器件領域優先的前提下，不斷優化業務結構。在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業提供服務。