軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術是現代軌道交通的**技術之一，在交流傳動系統中牽引變流器是關鍵部件，而IGBT又是牽引變流器****的器件之一。IGBT國內外市場規模2015年國際IGBT市場規模約為48億美元，預計到2020年市場規模可以達到80億美元，年復合增長率約10%。2014年國內IGBT銷售額是88.7億元，約占全球市場的1∕3。預計2020年中國IGBT市場規模將超200億元，年復合增長率約為15%。從公司來看，國外研發IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。國外企業如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占***優勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領域處于優勢地位。光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件，它具有很強的抗干擾能力。四川模塊廠家

整流橋模塊特點：

3、電力半導體芯片：超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結是玻璃鈍化保護，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環氧樹脂，這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現的。根據三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，FRED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。 江蘇電源管理模塊當速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論柵極電壓如何，晶閘管都會關閉。

一、600V系列EUPEC IGBT模塊,infineon IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,優派克IGBT模塊，部分型號如下：兩單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊： BSM50GB60DLC  BSM75GB60DLC  BSM100GB60DLC  BSM150GB60DLC  BSM200GB60DLC   BSM300GB60DLC  FF200R06KE3  FF300R06KE3  FF400R06KE3功率集成模塊PIM：BSM10GP60  BSM20GP60  BSM50GP60  BSM75GP60  BSM100GP60    FP10R06YE3  二、1200V系列EUPEC IGBT模塊infineon IGBT模塊英飛凌IGBT模塊優派克IGBT模塊，部分型號如下：一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM200GA1**N2  BSM300GA1**N2   BSM400GA1**N2  FZ1200R12KF4  FZ1600R12KF4  FZ1800R12KF4  BSM300GA1**LC  BSM400GA1**LC  FZ400R12KE3  FZ600R12KE3  FZ1600R12KE3  FZ2400R12KE3  FZ400R12KS4二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM50GB1**N2  BSM75GB1**N2  BSM100GB1**N2  BSM150GB1**N2  BSM200GB1**N2   FF400R12KF4  FF600R12KF4  BSM100GB1**LC BSM150GB1**LC  BSM200GB1**LC  BSM300GB1**LC   FF100R12KS4  FF150R12KS4  FF200R12KS4  FF300R12KS4  FF200R12KE3  FF300R12KE3  FF400R12KE3  FF600R12KE3     FF200R12KT3  FF300R12KT3  FF400R12KT3    

背景技術：目前，國外標準型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的igbt模塊直接應用于變頻器、ups不間斷電源等設備上；igbt模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點，隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上越來越多見。然而，這種igbt模塊的成本較高，嚴重制約了國內變流技術領域的發展。為了解決國外標準型igbt模塊成本較高的問題，目前國內出現了一種將igbt單管并聯后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國外相同技術參數規格下的標準型igbt模塊相比，成本要低15％～20％，進而能夠促進國內變流技術領域的發展；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就降低了igbt模塊的生產效率。晶閘管模塊應用比較普遍，種類繁多，如單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管等。

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的轉變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電范疇進入了強電范疇，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。模塊工業化

IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。四川模塊廠家

  可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。   可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導體和N 型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結。其結構示意圖和符號。可控硅和只有一個PN 結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。   四川模塊廠家

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