商品化電池效率從10%～13%提高到13%～15%，生產規模從1～5兆瓦/年發展到5～25兆瓦/年，并正在向50兆瓦甚至100兆瓦擴大。光伏組件的生產成本降到3美元/瓦以下。2011年，全球光伏新增裝機容量約為27.5GW，較上年的18.1GW相比，漲幅高達52%，全球累計安裝量超過67GW。全球近28GW的總裝機量中，有將近20GW的系統安裝于歐洲，但增速相對放緩，其中意大利和德國市場占全球裝機增長量的55%，分別為7.6GW和7.5GW。2011年以中日印為的亞太地區光伏產業市場需求同比增長129%，其裝機量分別為2.2GW，1.1GW和350MW。其中中國是全球光伏發電安裝量增長快的國家，2011年的光伏發電安裝量比2010年增長了約5倍。虹口區優勢分布式光伏發電按需定制

中國太陽能光伏發電發站潛力巨大，配合積極穩定的政策扶持，到2030年光伏裝機容量將達1億千瓦，年發電量可達1.3億兆瓦時，相當于少建30多個大型煤電廠。國家未來三年將投資200億補貼光伏業，中國太陽能光伏發電又迎來了新一輪的快速增長，并吸引了更多的戰略投資者融入到這個行業中來。2015年11月，安徽省來安縣啟動鄉村光伏發電項目，11個美好鄉村“空殼村”裝機容量為60KW以上的光伏電站進入招標程序。據初步估算，并網發電后各村每年能提供72000KWh清潔電能，村級集體經濟能增收5萬元以上。靜安區優勢分布式光伏發電要求早在1839年，法國科學家貝克雷爾就發現，光照能使半導體材料的不同部位之間產生電位差。

硅原子有4個外層電子，如果在純硅中摻入有5個外層電子的原子如磷原子，就成為N型半導體；若在純硅中摻入有3個外層電子的原子如硼原子，形成P型半導體。當P型和N型結合在一起時，接觸面就會形成電勢差，成為太陽能電池。當太陽光照射到P－N結后，電流便從P型一邊流向N型一邊，形成電流。光電效應就是光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。它首先是由光子(光波)轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。此外，在日趨成熟的北美市場，新增安裝量約2.1GW，增幅高達84%。

早在1839年，法國科學家貝克雷爾（Becqurel）就發現，光照能使半導體材料的不同部位之間產生電位差。這種現象后來被稱為“光生伏應”，簡稱“光伏效應”。1954年，美國科學家恰賓和皮爾松在美國貝爾實驗室制成了實用的單晶硅太陽電池，誕生了將太陽光能轉換為電能的實用光伏發電技術。20世紀70年代后，隨著現代工業的發展，全球能源危機和大氣污染問題日益突出，傳統的燃料能源正在天減少，對環境造成的危害日益突出，同時全球約有20億人得不到正常的能源供應。這個時候，全世界都把目光投向了可再生能源，希望可再生能源能夠改變人類的能源結構，維持長遠的可持續發展。多晶硅經過鑄錠、破錠、切片等程序后，制作成待加工的硅片。

其中中國是全球光伏發電安裝量增長快的國家，2011年的光伏發電安裝量比2010年增長了約5倍，2011年電池產量達到20GW，約占全球的65%。截至2011年底，中國共有電池企業約115家，總產能為36.5GW左右。其中產能1GW以上的企業共14家，占總產能的53%；在100MW和1GW之間的企業共63家，占總產能的43%；剩余的38家產能皆在100MW以內，占全國總產能的4%。規模、技術、成本的差異化競爭格局逐漸明晰。國內家組件生產商的出貨量占到電池總產量的60%。在今后的十幾年中，中國光伏發電的市場將會由發電系統轉向并網發電系統，包括沙漠電站和城市屋頂發電系統。光伏發電是利用半導體界面的光生伏應而將光能直接轉變為電能的一種技術。崇明區再生分布式光伏發電大全

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美國是早制定光伏發電的發展規劃的國家。1997年又提出“百萬屋頂”計劃。日本1992年啟動了新陽光計劃，到2003年日本光伏組件生產占世界的50%，世界大廠商有4家在日本。而德國新可再生能源法規定了光伏發電上網電價，推動了光伏市場和產業發展，使德國成為繼日本之后世界光伏發電發展快的國家。瑞士、法國、意大利、西班牙、芬蘭等國，也紛紛制定光伏發展計劃，并投巨資進行技術開發和加速工業化進程。世界光伏組件在1990年——2005年年平均增長率約15%。20世紀90年代后期，發展更加迅速，1999年光伏組件生產達到200兆瓦。虹口區優勢分布式光伏發電按需定制

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