EVG鍵合機加工結果除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統）還可用于研發，中試或批量生產。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級3D集成，晶圓減薄等應用很實用的技術。甘肅鍵合機售后服務

1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖形化，應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 內蒙古紅外鍵合機LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）。

EVG®560自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，用于大批量生產特色技術數據EVG560自動化晶圓鍵合系統蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術數據蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機器人蕞/高鍵合模塊4個。 

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：? 4.0mm材質：聚四氟乙烯EVG501晶圓鍵合機系統：真正的低強度晶圓楔形補償系統，可實現醉高產量；研發和試生產的醉低購置成本。

EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學，無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）以上應用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。SmartView NT鍵合機

EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。甘肅鍵合機售后服務

GEMINI ® FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。甘肅鍵合機售后服務