什么是YONG久鍵合系統呢?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供ZUI佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 EVG晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢?新疆SmartView NT鍵合機
EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔單面清潔刷(選件)用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數據晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統開室,旋轉器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:? 4.0mm材質:聚四氟乙烯實際價格鍵合機美元價我們在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常jin應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術,可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當,很容易損壞微芯片或相應的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現不同材料,高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統4個裝載口特征:多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。
GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面結合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度多達六個預處理模塊,例如:清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準驗證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現ZUI高吞吐量可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術數據晶圓直徑(基板尺寸)200、300毫米蕞高處理模塊數:6+的SmartView®NT可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統,擴展了現有標準,并擁有更高的生產率,更高的對準和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。 同時,EVG研發(fā)生產的的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業(yè)標準。北京解鍵合鍵合機
EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。新疆SmartView NT鍵合機
EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統,適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產出更快,性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術,可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統,SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量,高產量環(huán)境下運行的生產系統,已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。新疆SmartView NT鍵合機