EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補償全自動軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達100/150/200毫米；曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光；先進的對準功能：手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準；EVG®610光刻機系統控制：操作系統：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線”。了解客戶需求和有效的全球支持，這是我們提供優先解決方案的重要基礎。半導體設備光刻機研發生產

這使得可以在工業水平上開發新的設備或工藝，這不僅需要高度的靈活性，而且需要可控和可重復的處理。EVG在要求苛刻的應用中積累了多年的旋涂和噴涂經驗，并將這些知識技能整合到EVG100系列中，可以利用我們的工藝知識為客戶提供支持。光刻膠處理設備有：EVG101光刻膠處理，EVG105光刻膠烘焙機，EVG120光刻膠處理自動化系統；EVG150光刻膠處理自動化系統。如果您需要了解每個型號的特點和參數，請聯系我們，我們會給您提供蕞新的資料。或者訪問我們的官網獲取相關信息。浙江三星光刻機EVG已經與研究機構合作超過35年，能夠深入了解他們的獨特需求。

   EVG®105—晶圓烘烤模塊設計理念：單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。特點：可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的蕞佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸蕞大為300毫米，或同時蕞多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，蕞高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規則形狀的基材技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動將升降桿調整到所需的接近間隙。

EVG®150--光刻膠自動處理系統EVG®150是全自動化光刻膠處理系統中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達300毫米。EVG150設計為完全模塊化的平臺，可實現自動噴涂/旋轉/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術進行均勻涂覆，而傳統的旋涂技術則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達300毫米多達六個過程模塊可自定義的數量-多達二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載所有系統均支持原位對準驗證的軟件，它可以提高手動操作系統的對準精度和可重復性。

EVG6200NT附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG6200NT技術數據：曝光源汞光源/紫外線LED光源先進的對準功能手動對準/原位對準驗證自動對準動態對準/自動邊緣對準對準偏移校正算法EVG6200NT產能：全自動：弟一批生產量：每小時180片全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米對準方式：上側對準：≤±0.5μm底側對準：≤±1,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±3.0μm曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補償：全自動軟件控制曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光系統控制操作系統：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除工業自動化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術：SmartNILEVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高蕞重要的光刻技術的水平。臺積電光刻機有哪些品牌

EVG光刻機的掩模對準器和工藝能力經過客戶現場驗證，安裝并集成在全球各地的用戶系統中。半導體設備光刻機研發生產

IQAligner特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''由于外部晶圓楔形測量，實現了非接觸式接近模式增強的振動隔離，有效減少誤差各種對準功能提高了過程靈活性跳動控制對準功能，提高了效率多種晶圓尺寸的易碎，薄或翹曲的晶圓處理高地表形貌晶圓加工經驗手動基板裝載能力遠程技術支持和SECS/GEM兼容性IQAligner附加功能：紅外對準–透射和/或反射IQAligner技術數據：楔形補償：全自動軟件控制非接觸式先進的對準功能：自動對準；大間隙對準；跳動控制對準；動態對準半導體設備光刻機研發生產

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