生產輪碾機生產廠家(今日/商情)海昌機械,目前各企業諸如鐵水、處理容器、介質、脫硫劑、設備(扒渣機、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準上比較非常困難。另外成本中有些指標很難準確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。還有就是某些指標數值的值在各個企業的成本核算中所占的比重不盡相同。企業在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結合企業自身條件和特點，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應該致密，不能有珠粒融合的疏松，進而在刷涂料時會造成涂料內滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現象。2.強化產業創新模式我國的材料應用企業一般規模不大。而企業作為加工應用技術研究、研發投入的主體，單個企業投入研究可能負擔較重，因此同類應用企業和加工裝備制造企業應當聯合起來形成產業聯盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團隊，形成共有共享的技術，從而促進產業的發展著碳化硅晶體質量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導體器件已開始大量研究開發[1-2].由于SiC晶體具有很強的共價鍵,高溫擴散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學氣相外延(CVD)方法同質外延一層結晶質量高,摻雜可控的功能層是目前進行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側向生長的方法可以實現晶型的穩定延續,即使在較低的生長溫度下也可獲得高結晶質量的SiC同質外延膜[6].碳化硅同質外延常用的CVD設備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統具有設備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優點,適合生長微電子器件所需的優質摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設備上實現外延膜的優質高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設備,在1400℃下進行4H-SiC外延膜生長研究.1實驗方法1.1碳化硅同質外延膜的制備實驗使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應腔內進行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結果確認晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續襯底晶型.需要注意的是,在實驗樣品中折疊縱光學(FLO)模出現在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發現,晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據他們實驗的結果,980cm1對應的雜質濃度約~1018cm3,這與本實驗通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結果相吻合.因為3C-SiC的折疊橫光學(FTO)模出現的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進行了進一步的KOH腐蝕實驗.根據文獻報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現三角形的腐蝕坑,而在本實驗中,只出現了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質外延仍能獲得結晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質不同,在SEM下會呈現明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關系可以分為兩個區域.在區域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區域,系統內反應物質處于非飽和狀態,因此生長速率由反應物的質量輸運過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關系.在區域Ⅱ,生長速率已達到系統的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實驗設備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達到飽和狀態,反應受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點處深,其對應的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當生長速率達到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴重過量,導致表面出現硅液滴的不斷沉積與揮發過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區別.通過對生長機制的分析,可以認為三角形凹坑是由臺階側向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質外延利用臺階的側向生長以復制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當外延生長過程中,在界面處出現(形成)一個點(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側向移動.隨著生長的不斷進行,點不斷阻止側向生長的進行,而在臺階流下方會逐漸恢復到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點深,而對應邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發現,襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發現BPDs在正向導通電流作用下會演變形成堆垛層錯,造成高頻二極管(PiN)器件正向導通電壓的漂移.而露頭刃位錯(對應7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉化成TEDs.當生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進行了KOH腐蝕試驗.結果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉變相對較平穩,因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉換非常劇烈,導致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續正常生長中引入大量的點,根據三角形產生的機制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產生大量并延續到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進后的外延膜表面的光學照片,從圖中可以看出改進初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發現,即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質量的重要手段之一。

但是還有其他可能，若想解決問題可以將設備細節以及工藝條件介紹清楚，再把擠出物照片貼出來，根據那些判斷的原因可以做到很準確。有可能是轉速過大引起的擠出物熔體破裂，有可能是加料量過小引起的出料不連續，有可能是物料粘度過低引起的機頭壓力過小，有可能是計量段螺桿設計不合理引起的末端充滿長度過短。擠條機如何擠出均勻的條子？不均勻的具體情況是怎么樣的？

一種磷改性催化劑載體及制備方法及應用。用本發明的一種磷改性催化劑載體負載上金釕銅錫鉍的硫酸鹽氯化物磷酸鹽焦磷酸鹽乙二胺中的至少一種活性組分制備成乙炔氫氯化反應的無汞催化劑，其乙炔的初始轉化率相比未改性樣品提高了26%～86%，生成氯乙烯的選擇性大于99%。干燥，放入管式爐或馬弗爐中，在氮氣氣氛下以4-6℃/min的升溫速率升至500-1000℃，保持1-4h，冷至室溫，得到一種磷改性催化劑載體；制備方法為一將改性劑溶于乙醇中，攪拌得浸漬液；二將經預處理后的催化劑載體浸入浸漬液中，密封攪拌浸漬，過濾濾掉液體；

絞碎機是將片角配料較成細膩的山楂泥。用這臺設備,完成兩道工藝操作。干燥設備我廠現在是采用煙道火力烘房進行干燥。現正著手進行建設隧道式蒸汽娂房,這將是干燥設備的改進,利于增加山楂的質量,減少勞動強度。將山楂園條,通過三輥搓球機,切斷并接成扁園形山楂球胚。二道是在糯米糕粉的球上再裹一層細砂糖層,烘干后即為成品。我廠山楂的生產設備,從片角配料到山楂球成品,共有項設備。擠條機將山楂泥通過擠條機擠壓成小11mm,長60mm的球。一道是在山楂胚上均勻的裹一層糯米糕粉。裹細砂糖機;搓球胚機;這項設備還有待于進一步改進。

生產輪碾機生產廠家(今日/商情)，隨著不斷地返料，機器逐步升溫，等米線開始成型，可以用剪刀剪斷米線，看橫截面是否透亮，如果透亮說明米線機已經升溫成功，這個時候就可以打開進料口正常生產了。多功能米線機采用生物變性技術，以大米小米玉米等為原料，不加任何添加劑，通過米線機的高速熟化擠條機摩擦產熱使米線米粉糊化和膨化，自動聚合，次成型，產品熟化度糊化度和穩定，耐煮不斷條，不糊湯，咬勁足，口感好，且物料均在米線機上運行，經高溫殺菌，便于長期保存。所以選擇多功能米線機就來青禾，定會有您滿意的產品。

生產輪碾機生產廠家(今日/商情)，我公司是一家做工業催化劑分子篩活性炭化工等成套設備的設計與加工制作制造擠出成型干燥焙燒粉碎等化工設備的企業。主要產品有分子篩加工自動壓料單螺桿擠條機雙螺桿擠條機捏合機電器PLC遠程自動控制工程工業窯爐帶式干燥機等大規模生產及實驗室用的設備，催化劑載體異形加工及化工用非標設備的設計加工與安裝等。

熱氧化裝置：將解吸的濃縮有機廢氣氧化風機泵入熱氧化爐進行燃燒，并將二氧化碳和水蒸氣轉化為大氣。再生分子篩轉子旋轉到吸附區，連續吸附VOCs廢氣，并繼續連續運行。可能發生危險或分子篩的性能可能被破壞。欽州分子篩設備廠家,冷卻再生區：解吸的分子篩轉子進入冷卻再生區，并通過冷空氣或冷廢氣冷卻和再生。

生產輪碾機生產廠家(今日/商情)，擠條機擠出螺桿相互嚙合，在工作過程中能將被加工擠出的物料進一步捏合，一對螺桿同時工作，擠出面積大工作效率較高，擠條機的自動壓料器壓料速度隨螺桿轉速的調整而同步調整；螺桿的螺距是變距的，即進料端的螺距大于擠出端的螺距，以形成較高的擠出壓力，提高產品強度。

生產輪碾機生產廠家(今日/商情)，制造催化劑沉淀法此法用于制造要求分散度高并含有一種或多種金屬氧化物的催化劑。沉淀法需要過濾洗滌設備，以節約水，避免漏料損失。如果在沉淀桶內放入不溶物質（如硅藻土），使金屬氧化物或碳酸鹽附著在此不溶物質上沉淀，則稱為附著沉淀法。在制造多組分催化劑時，適宜的沉淀條件對于保障產物組成的均勻性和制造催化劑很重要。通常的方法是在一種或多種金屬鹽溶液中加入沉淀劑（如碳酸鈉氫氧化鈣），經沉淀洗滌過濾干燥成型焙燒(或活化，即得產品。

據介紹，科研人員研究了水和醇類在金紅石TiO2表面的光化學動力學，取得了系列成果。其中甲醇在TiO2單晶表面的光化學機理研究顯示，甲醇能提高TiO2光催化分解水的效率。研究人員還從原子分子層次上認識了甲醇覆蓋的TiO2表面在紫外光照射后反應物及產物譜圖的變化，研究結果表明，甲醇通過光催化解離成了甲醛，光催化解離能大大提高化學反應效率，為研究新型催化劑打開了大門。